ZXMN3F30FHTA
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Diodes Incorporated ZXMN3F30FHTA
| Artikelnummer: | ZXMN3F30FHTA |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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Diodes Incorporated ZXMN3F30FHTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments ZXMN3F30FHTA.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 3.2A, 10V Verlustleistung (max) 950mW (Ta) Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 318 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Ta) Grundproduktnummer ZXMN3 ZXMN3F30FHTA Einzelheiten PDF [English] ZXMN3F30FHTA PDF - EN.pdf -
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